Розглянуто вплив стану міжфазної поверхні на властивості гетероструктур типу p-Cu_1,8S / n-A₂B₆ за умов збудження ультрафіолетовим та бета-випромінюванням. Досліджено генераційно-рекомбінаційні процеси і механізми переносу струму та залежність ефективності перетворення від модифікації міжфазних поверхонь за рахунок вирощування перехідних наномікронних прошарків змінного хімічного складу та вбудування в область просторового заряду проміжних малодефектних сполук субмікронних товщин. Вперше з метою зменшення рекомбінаційних втрат фотогенерованих носіїв і конструювання нових типів перетворювачів створено полікристилічні поверхнево-бар'єрні гетероструктури p-Cu_1,8S/n-A₂B₆ / n-A₂B₆, відмінною особливістю яких є наявність на міжфазній поверхні додаткових потенційних бар'єрів DELTAE_v для дірок. Обгрунтовано перспективність досліджених тонкоплівкових поверхнево-бар'єрних гетероструктур для створення "сліпих" до видимого світла сенсорів ультрафіолетової радіації, сонячних елементів, детекторів бета-випромінювання, радіоізотопних джерел електричного живлення.

• Комащенко Олексій Валерійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"