![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Захарчук Д. А. Вплив технологічних та радіаційних дефектів на явища переносу в багатодолинних напівпровідниках n-Ge та n-Si : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Д. А. Захарчук; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 2005. - 20 c. - укp.З використанням методів вимірювання поздовжнього п'єзоопору та п'єзо-холдефекту в монокрислах германію та кремнію з періодичним розподілом легуючої домішки досліджено вплив шарових періодичних неоднорідностей (ШПН) за різних доз <$Egamma>-опромінення та інтенсивності світла на анізотропію електрофізичних величин. Вперше одержано для n - Ge залежності поздовжньої <$Emu sub { symbol Э symbol Э }> і поперечної <$Emu sub { symbol <94> }> складових рухливості в окремо взятому ізоенергетичному еліпсоїді від дози <$Egamma>-опромінення та інтенсивності світла. Встановлено незалежність <$Emu sub { symbol Э symbol Э }> від даних фізико-активних впливів. Показано, що зміна компоненти рухливості <$Emu sub { symbol <94> }> за умов збільшення дози опромінення та інтенсивності світла визначається зміною параметра анізотропії періодів релаксації <$EK sub tau>. Встановлено вплив <$EDELTA>-долин зони провідності на характер перерозподілу носіїв заряду в c-зоні для n - Ge в температурному інтервалі <$E290~ symbol Ш ~380~K> у разі сильних одновісних деформацій. Обчислено в <$Egamma>-опроміненому n - Si за <$ET~=~125~K> величину деформаційних змін енергетичної щілини <$Edelta ( DELTA E)> між глибоким рівнем (<$E(E sub C ~-~0,17)~eB> і дном зони провідності в широкому діапазоні механічних напружень для кристалографічних напрямків [110] і [111]. Досліджено характер змін температурної залежності положення рівня Фермі у монокристалах германію n- та p-типу провідності за наявності у забороненій зоні глибоких енергетичних рівнів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА335487 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|