Розроблено, аналітично та числово розраховано моделі процесів росту тонких епітаксійних плівок GaN у процесі нітридизації GaAs. Розкрито фізико-технологічні засади процесів нітридизації монокристалічного GaAs шляхом обробки його збудженими атомами азоту. Встановлено морфологічні та люмінесцентні властивості одержаних нанопоруватих шарів GaAs n- та p-типу. Проаналізовано вплив морфології поруватої підкладки GaAs і параметрів нітридизації на механічні напруження у плівках GaN та їх люмінесцентні властивості. Експериментально виявлено особливості випромінювальних властивостей епітаксійних плівок GaN, одержаних відпалом поруватих і монокристалічних підкладок GaAs у потоці збуджених атомів азоту. Визначено зв'язок електролюмінесценції рідкоземельних елементів (Er та Im) у напівпровідниках типу <$Eroman {А sup 2 В sup 6 }> за технологічних умов відпалу в потоці атомарного халькогену.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 в641.8,022 + з843.395-06

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: РА342787 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"