З використанням методу локального модельного псевдопотенціалу розраховано електронні спектри твердих розчинів заміщення <$Eroman Ga sub {1~-~x } roman Al sub x roman N>, <$Eroman Ga sub {1~-~x } roman In sub x roman N> та <$Eroman In sub {1~-~x } roman Al sub x roman N>. У наближенні 32-атомних суперкомірок з урахуванням внутрішніх локальних деформацій, композиційної невпорядкованості та структурної релаксації одержано задовільне узгодження розрахованих композиційних залежностей ширини забороненої зони з експериментом. Проаналізовано походження піків уявної частини діелектричної проникності бінарних сполук GaN, AlN та InN. Враховуючи біаксіальні деформації пояснено появу нових особливостей в оптичних спектрах тонких плівок, що спостерігались в експерименті. Проведено порівняння різних підходів до визначення іонності та досліджено перебудову хімічного зв'язку у даних твердих розчинах зі зміною складу, використовуючи підхід повної валентної густини заряду. Наведено результати розрахунку поперечного ефективного заряду.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Возний Олександр Вікторович (медичні науки)
• Возний Олександр Валерійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"