Уперше установлено вплив орієнтації поверхні монокристалічного кремнію (100), (111) на розвиток твердотільних реакцій у біметалічних системах Co (3000 нм)/Ni (300 нм) на монокристалах Si, що є аналогічним впливу орієнтації поверхні монокристалічного кремнію (100), (111) на розвиток твердотільних реакцій в системі Ni - Si, а саме: процеси силіцидоутворення на підкладці монокристалічного кремнію орієнтації (100) розпочинаються за температури 670 К, температура початку силіцидоутворення на кремнії з орієнтацією поверхні (111) становить 770 К. Виявлено, що у системі Co (300 нм)/Ni (300 нм) на монокристалічному кремнії з орієнтацією поверхні (100) та (111) перетворення силіциду нікелю NiSi у дисиліцид <$Eroman NiSi sub 2> відбувається за температури 870 К, що на 150 К нижче за температуру перетворення NiSi у дисиліцид <$Eroman NiSi sub 2> у системі Ni - Si. Визначено, що послідовність твердотільних реакцій та початок формування силіциду нікелю NiSi у системах Ti (200 нм)/Ni (200 нм) та Ni (200 нм)/Ti (200 нм) на Si (001) залежать від послідовності розташування шарів титану та нікелю (Ti/Ni/Si (001) або Ni/Ti/Si (001)): за умов позиції титану поверх нікелю NiSi - за температури 670 К. Якщо титан знаходиться поміж нікелем та кремнієм NiSi формується за температури 870 К. Показано, що незалежно від розташування шару титану у висхідній плівковій системі силіцид нікелю NiSi є термічно стійким щодо температури 1 170 К, що на 150 К вище за температуру термічної стійкості NiSi у системі Ni - Si. За результатами дослідження з використанням методу спектральної еліпсометрії багатошарових плівкових композицій Ni/Si/Ni/Si... на Si (001)

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Вербицька Тетяна Іванівна (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"