Досліджено геометричні, енергетичні та електронні характеристики чистих поверхонь Si(100) і Ge(100), поверхонь з вакансійними дефектами та дефектами у вигляді адсорбованих атомів і іонів (H, P, <$Eroman {P sup - ,~P sup +>, B, <$Eroman B sup +>). На підставі напівемпіричного методу MNDO проведено моделювання процесів адсорбції, десорбції, поверхневої міграції частинок адсорбату на поверхнях Si(100) і Ge(100). Розглянуто проблему врахування впливу ступеня покриття поверхонь воднем на механізм десрбації з моно- та дигідридних станів; встановлено вплив вакансійних дефектів на адсорбційні властивості поверхонь. Розраховано енергетичні характеристики процесів взаємодії силану з поверхнями Si(100) і H/Si(100), встановлено механізми початкових стадій росту кремнієвих плівок. Розраховано хемосорбційні стани іонів та атомів фосфору та бору, що адсобруються на поверхні Si(100) і Ge(100). Продемонстровано різницю геометричних і електронних характеристик цих станів.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ананьїна Ольга Юріївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"