Досліджено композиційні особливості радіаційно-індукованих явищ у халькогенідних склоподібних напівпровідниках (ХСН) системи Ge - Sb - S. Встановлено, що <$Egamma)-опромінення дозою 3<$Ecdot>10<^>6 Гр викликає довгохвильовий зсув краю оптичного пропускання в області фундаментального поглинання (ефект радіаційно-індукованого потемніння), величина якого залежить від хімічного складу ХСН. Виявлено, що даний ефект - нестабільний в часі, містить складові - статичну та динамічну, максимальний в ХСН, збагачених Ge, і повністю відсутнім в ХСН, збагачених Sb. Доведено, що відхилення основних компонентів від стехіометрії істотно впливає на характер композиційних залежностей кількісних параметрів ефекту. Запропоновано модель, що базується на концепції вільного об'єму та враховує компактність структури скла та концентрацію хімічних зв'язків, які сприяють проявленню радіаційно-індукованих змін. Проаналізовано особливості радіаційно-структурних перетворень домішкових комплексів і радіаційно-індукованих змін мікротвердості досліджених ХСН.

• Кавецький Тарас Степанович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"