Сльотов М. М. Механізми люмінесценції в дифузійних шарах широкозонних II-IV напівпровідників : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук / М. М. Сльотов; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2007. - 36 c. - укp.Досліджено спектри оптичного пропускання, поглинання, відбиття та люмінесценції тонких шарів широкозонних напівпровідників з використанням класичних і диференціальних методів вимірювань. Установлено технологічні режими рівноважного легування елементами I, II, V і VI груп для одержання шарів II - VI сполук з дірковою провідністю. За методом ізовалентного заміщення одержано гетерошари (ГШ) халькогенідів кадмію та цинку зі стабільною у часі кристалічною структурою, які не існують в об'ємних кристалах. У всіх дифузійних шарах за температури 300 К має місце випромінювання, зумовлене переходами вільних носіїв основних дозволених зон. У гетерошарах виявлено переходи за участі відщеплених валентних зон за рахунок кристалічного поля <$EDELTA sub cr>, спін-орбітальної взаємодії <$EDELTA sub so>. Вказані параметри для ГШ <$Ealpha>-ZnSe і <$Ebeta>-CdSe визначено вперше, а для інших - узгоджуються з відомими літературними даними. Виявлено, що домінуюче випромінювання <$Ealpha ,~ beta>-CdSe, <$Ealpha ,~ beta>-ZnSe і ZnSe:Mg з <$Eeta> - 20 - 70 % у температурному діапазоні 300 - 450 К визначається анігіляцією екситонів за їх непружного розсіювання на вільних носіях заряду. Установлено, що власні та домішкові точкові дефекти в об'єктах досліджень формують неглибокі (<$EE sub {d,a } ~ symbol Г ~3~ h up 20 back 35 - omega sub 0>) та глибокі (<$EE sub {d,a } ~ symbol У ~3~ h up 20 back 35 - omega sub 0>) рівні. У випадку неглибоких рекомбінаційних центрів форма спектрів люмінесценції описується гауссовою кривою, а для глибоких - моделями, які враховують електрон-фононну взаємодію (Юлса - Крегера, Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА352412 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|