Наведено результати дослідження перерозподілу енергії між гармонічними складовими електричного сигналу, що дозволяє здійснювати розробку чутливих та високочастотних датчиків контролю доз <$Egamma>- та нейтронного опромінення. Одержано дані стосовно процесу вибухової кристалізації у сполуках германію з фосфором та сіркою за умов <$Egamma>-опромінення, характер визначається хімічним складом плівки, які дають змогу здійснювати більш детальне прогнозування змін параметрів інтегральних структур за впливу іонізуючого випромінювання. З використанням методу зворотного розсіювання іонів визначено механізм формування силіціду металів у опромінених структурах метал - напівпровідник. Проведено теоретичний аналіз процесу формування перехідного шару між підкладкою та нанесеною з використанням низькоенергетичного потоку іонів металевою плівкою. На підставі результатів аналізу показано можливість формування металевих покриттів і керамічних та напівпровідникових підкладках з високою адгезію. Досліджено процес формування профілю домішки на великих глибинах з застосуванням потоку прискорених іонів. За результатами досліджень доведено можливість управління профілем розподілу концентрації домішки на великих глибинах. Виявлено ефект "іонного розпухання" (радіаційного розпухання) кремнію за його опромінення іонами бору. Проаналізовано термодинаміку процесів підвищення раціаційної стійкості шаруватих структур та виробів твердотільної електроніки за впливу термічних і електричних полів. Досліджено процес гальмування первинних зміщених атомів у матеріалах, які опромінюються, з урахуванням світлового випромінювання, яке виникає під час гальмування.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Пеліхатий Микола Михайлович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"