Досліджено механізми зародкоутворення та зростання Si преципітатів у кристалічній решітці алюмінію. За допомогою ab initio розрахунків одержано міжатомні потенціали для Si - Al взаємодії в алюмінії. Дані потенціали, разом з одержаними іншими потенціалами для Al - Al та Si - Si взаємодії, використано для вивчення релаксації малих Si кластерів, що відіграють важливу роль у формуванні зародків у процесах Si преципітації. Встановлено, що <$Eroman Si sub 3> кластер є початковою атомною конфігурацією, що призводить до зародкоутворення та зростання Si преципітатів. Запропоновано спеціальну модель для вивчення природи хімічного зв'язку між Si та Al. Встановлено алмазоподібний гібридний характер зв'язку Si - Al у разі, коли атоми Si утворюють <$Eroman Si sub 2> кластер в решітці Al. З'ясовано, що дані зв'язки подібні до ковалентних у кристалі Si. Виявлено, що за умов загартовування та нейтронного опромінювання дифузійні процеси, що обумовлюють преципітацію атомів Si, відбуваються за відносно низьких температур. Надано пояснення низькотемпературної дифузії з використанням механізму дивакансійної дифузії. З'ясовано, що зростання Si преципітатів за умов нейтронного опромінювання алюмінію обмежується дифузією атомів Si до преципітатів в Al решітці.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Моісеєнко Наталя Володимирівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"