Наведено теоретичний опис і проведено дослідження процесів переносу носіїв заряду в асиметричних багатошарових квантово-розмірних гетероструктурах (АБКРС), які є активними середовищами для напівпровідникових лазерів і підсилювачів. Основну увагу приділено вивченню композиційно асимтеричної квантово-розмірної активної області на основі твердго розчину InGaAsP. Наведено рекомендації щодо застосування одержаних результатів для вивчення інших шаруватих квантово-розмірних структур (КРС). З застосуванням імітаційних моделей напівпровідникового лазера та напівпровідникового оптичного підсилювача встановлено, що процеси тунельного переносу та захоплення носіїв є ключовими у визначенні швидокодії даних приладів. З застосуванням самоузгодженої моделі потенційного профілю КРС досліджено спектри власних станів симетричих КРС і АБКРС. Обгрунтовано можливість застосування кусочно-постійної апроксимації зонної діаграми для довільних симетричних багатошарових КРС, а також для АБКРС, сформованих шарами однакової товщини. На підставі квантово-механічного аналізу запропоновано визначення області захоплення, яке є прийнятним для КРС будь-якої розмірності. Шляхом моделювання реальних гетеросистем та обчислень встановлено, що область захоплення може бути як менше, так і більше геометричних розмірів КРС. З викоританям концепції групової швидкості проведено кількісне оцінювання тунелювання в АБКРС.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шуліка Олексій Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"