Дисертацію присвячено комплексному дослідженню закономірностей формування структури композиційних матеріалів у системі AlN - Al₂O₃, модифікованих AlON, SiAlON-ом і металоподібними тугоплавкими сполуками, її взаємозв'язку з електрофізичними властивостями діелектричних і резистивних матеріалів, з урахуванням технологічних особливостей одержання виробів із них методом спікання. Вперше проведено систематичні дослідження взаємозв'язку складу, структури й електрофізичних властивостей композитів на основі AlN і Al₂O₃, що містять AlON і SiAlON. Доповнено і систематизовано дані стосовно впливу домішок-активаторів спікання на щільність і електрофізичні властивості AlN композитів. Показано, що відносна щільність AlN композитів збільшується за умов використання оксидів (активаторів спікання) із великими (відносно Al³⁺) радіусами катіонів та зменшується за умов наявності домішок із малими радіусами катіонів. Отримано дані про діелектричні властивості AlON і AlON-вміщуючих керамік, встановлено механізми поляризації цих матеріалів. Розроблено резистивні композити в системі AlN - AlON - Al₂O₃ + MeX (MeX - металоподібні нітриди, карбіди, бориди, силіциди). Проведено систематичні дослідження їх структури й електрофізичних властивостей як трикомпонентних систем: діелектрик - провідник - пори. Встановлено: фрактальна розмірність провідного кластера (як параметр мікроструктури) і коефіцієнт t моделі протікання взаємозалежні, що обумовлює залежність електропровідності від геометричних розмірів композита (масштабний чинник).

• Бойцов Олег Феліксович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"