Досліджено взаємозв'язки перерозподілу елементів контактних структур GaAs - M, AlGaAs/GaAs - M, InP/InGaAs - M, інтердиффузії та утворення фаз на межі поділу метал - напівпровідник з електрофізичними властивостями омічних контактів (ОК) за умов технологічних обмежень їх формування для польових надвисокочастотних (НВЧ) транзисторів з наднизьким рівнем шуму. Розроблено та досліджено комплексну технологію формування омічних контактів до <$En- roman {A sub 3 B sub 5 }> з багатокомпозиційних сполук, які містять тугоплавкі метали Ti, Ta, Mo, зривною літографією з добрим відтворенням топологій, а також технологію формування омічних контактів до n-GaAs з очищенням його поверхні низькоенергетичними іонами та збагаченням її атомами германію та нікелю в єдиному технологічному циклі, що дає змогу суттєво знизити питомий контактний опір до <$Erho sub roman c> ~ <$E3~ cdot ~10 sup -7 roman {Ом~ cdot ~см sup 2 }> та покращати морфологію контакту. Показано, що морфологія омічних контактів суттєво впливає на шуми гарячих електронів у транзисторних структурах, які визначають шумові параметри НВЧ транзисторів з субмікронними розмірами топології. Досліджено експлуатаційні характеристики ОК до n-GaAs на протязі 25000 год. Показано, що на надійність омічних контактів, як і на величину питомого контактного опору, суттєвий вплив має стан поверхні GaAs перед нанесенням композиції металів та технологія формування вакууму. Наведено результати дослідження радіаційної стійкості ОК у разі <$Egamma>-опромінення, оцінено її межу для ОК в польових транзисторах з бар'єром Шотткі (ПТШ) на GaAs. Розроблено

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-01

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: РА324529 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іващук Анатолій Васильович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"