Визначено домінуючі моделі атомних дефектів і механізмів легування та утворення твердих розчинів у системах PbTe:Ga (In, Tl), PbTe - Ga (In, Tl)Te, PbTe - <$Eroman Ga sub 2 ~(In sub 2 ,~Ti sub 2 )~-~Te sub 3 }>. Показано, що для PbTe:Ga на початкових етапах домінує розміщення галію у октаедричних позиціях (ОП) щільної упаковки атомів телуру з перерозподілом заряду <$Eroman {Ga sup +3 ~ symbol О ~Ga sup +1 }>. Зазначено, що за глибокого легування має місце утворення міжвузлового галію у тетраедричних позиціях (ТП) з тенденцією формування нової фази <$Eroman {Ga sub 2 Te sub 3 }>. Для PbTe:In до 1,5 ат.% In проходить заміщення катіонних вакансій основної матриці індієм. Установлено, що за умов збільшення вмісту легуючої домішки відбувається розміщення <$Eroman In sup +1> у катіонній підгратці та утворення міжвузлових іонів <$Eroman {In sub i sup +3 }>. Виявлено, що у разі легування PbTe талієм до 0,1 ат. % Tl переважає утворення вкоріненого талію та утворення комплексів <$E[ roman {V sub Te sup +2 ~-~Tl sub i sup -1 }] sup +>. Доведено, що для твердих розчинів систем Pb - Ga (In, Tl) - Te домінуючими атомними дефектами є домішки в ОП й одночасне заміщення вакансій свинцю одновалентними домішками, а також вкорінення тривалентних домішок у ТП щільної упаковки атомів телуру кристалічної структури PbTe.

• Бойчук Володимир Миколайович (економічні науки)
• Бойчук Володимир Максимович (медичні науки)
• Бойчук Володимира Михайлівна (хімічні науки)
• Бойчук Віталій Миколайович (педагогічні науки)
• Бойчук Василь Миколайович (філологічні науки)
• Бойчук Валентина Михайлівна (філологічні науки)
• Бойчук В'ячеслав Миколайович (сільськогосподарські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"