Гуцул І. В. Явища електро- та теплопереносу в анізотропних напівпровідниках : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / І. В. Гуцул; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2000. - 36 c. - укp.Розроблено теорію явищ переносу в анізотропних напівпровідникових кристалах типу p-Ge і детально проаналізовано можливості анізотропних оптикотермоелементів (АОТ), які використовуються для реєстрації променевих потоків різної потужності та неперервного контролю за ними. За допомогою методу параметра анізотропії розв'язано кінетичне рівняння для напівпровідників типу p-Ge з урахуванням реальної структури енергетичного спектра та специфіки механізмів розсіяння на іонізованих домішках, акустичних, оптичних фононах і дислокаціях за наявності електричного та магнітного полів і градієнта температури. Одержано аналітичні вирази функції розподілу легких та важких дірок Ge, проведено дослідження температурних і польових залежностей рухливості, коефіцієнта Холла, холл-фактора, диференціальної термоедс, а також впливу ефекту фононного захоплення на величину термоедс. Проведено дослідження поперечної термоедс, ККД і вольт-ватної чутливості АОТ для антипаралельних і паралельних напрямків градієнта температури. Побудовано метод розрахунку двовимірного розподілу температури в об'ємі АОТ з урахуванням оптичного поглинання. Досліджено вплив двомірного розподілу температури та термоедс і вольт-ватну чутливість АОТ за відповідних крайових умов для режимів оптичного пропускання, об'ємного та поверхневого поглинань. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА313265 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|