Солнцев В. С. Електрофізичні властивості багатошарових структур на основі модифікованого пористого кремнію при адсорбції газів : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. С. Солнцев; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. - К., 2010. - 20 c. - укp.Досліджено, що значні зміни хімічного складу шарів пористого кремнію під впливом термічних обробок спостерігаєгься у зразках, відпалених за Т > 250 °С. Показано, що механізм газової чутливості структур з шаром пористого кремнію за адсорбції водню або сірководню полягає у вбудові додаткового заряду на межу поділу Pd/пористого кремню (ПК). Висвітлено зміни морфології поверхні та хімічного складу шару ПК за електрохімічного осадження міді та показано, що використання таких шарів в газових сенсорах призводить до підвищення чутливості структур до дії сірководню. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271,022 + В379.226,022 + Г583.25,0
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА374530 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Автореферати дисертацій Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|