Уперше кількісно описано спостережуваний спектральний розподіл фотоелектричної квантової ефективності тонкоплівкової гетероструктури CdS/CdTe з урахуванням дрейфової та дифузійної складових фотоструму, рекомбінаційних втрат на межах поділу та в області просторового заряду. З'ясовано вплив параметрів поглинального шару (його товщини, часу життя носіїв заряду, швидкості поверхневої рекомбінації, концентрації некомпенсованих домішок) у їх комплексі на струм короткого замикання тонкоплівкової гетероструктури CdS/CdTe. На основі генераційно-рекомбінаційного механізму переносу заряду, доповненого надбар'єрним струмом неосновних носіїв за підвищених напруг, знайдено залежності напруги розімкненого кола та коефіцієнта корисної дії сонячного елемента CdS/CdTe від параметрів діодної структури. Уперше з'ясовано можливості застосування тонкоплівкових бар'єрних структур на основі CdS/CdTe в детекторах з прямим перетворенням X-променевого зображення в електричні сигнали. Визначено механізми процесів, що визначають темновий струм і спектральний розподіл детектувальної ефективності в таких пристроях.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Грушко Євгеній Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"