Экспериментально установлена корреляция подвижности и концентрации носителей заряда и условий выращивания методом жидкофазной эпитаксии арсенид-галлиевых слоев. Отмечено, что при изменении параметров технологического процесса выращивания, можно получить слои с требуемой подвижностью и концентрацией носителей заряда.

Експериментально встановлено кореляцію рухливості та концентрації носіїв заряду й умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. У разі зміни параметрів технологічного процесу вирощування, можна одержати шари з необхідною рухливістю та концентрацією носіїв заряду.

The correlation between mobility and carriers concentration and growthТs conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growthТs process.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"