Находкін М. Г. Адсорбція атомів Bi на поверхні Ge(111)-c(2 x 8) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2010. - Вип. 4. - С. 236-239. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено особливості зміни структури та електронних властивостей (роботи виходу, густини електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні <$E roman Ge (111)-c(2~times~8>) за адсорбції на ній атомів Bi. Показано, що адсорбція атомів Bi призводить до зменшення роботи виходу поверхні Ge(111) (максимально на 0,8 еВ) і до утворення двох стабільних адсорбційних станів за <$E THETA sub roman Bi~symbol Ы~2 "/" 3> і 1,0 MШ із однаковою надструктурою <$E sqrt 3~times~sqrt 3>. Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.25
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|