За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено особливості зміни структури та електронних властивостей (роботи виходу, густини електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні <$E roman Ge (111)-c(2~times~8>) за адсорбції на ній атомів Bi. Показано, що адсорбція атомів Bi призводить до зменшення роботи виходу поверхні Ge(111) (максимально на 0,8 еВ) і до утворення двох стабільних адсорбційних станів за <$E THETA sub roman Bi~symbol Ы~2 "/" 3> і 1,0 MШ із однаковою надструктурою <$E sqrt 3~times~sqrt 3>.

• Находкін Микола Григорович (1925–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"