Проведено експериментальні дослідження температурних залежностей рентгенолюмінесценції, рентгено- і темнової провідності високоомних нелегованих кристалів ZnSe. Встановлено, що власна провідність зразків за температур Т >> 400 К обумовлена термічною делокалізацією носіїв з глибоких локальних рівнів ЕТ = 0,83 еВ, а величина рентгенопровідності у процесі нагрівання до 350 К монотонно спадає, а за вищих температур - навіть поступово зростає. Завдяки виявленим особливостям температурної поведінки рентгенопровідності кристалів ZnSe, їх можна застосовувати як детектори рентгенівського та <$E gamma>-випромінювання, які надійно працюватимуть при температурах навколишнього середовища <$E symbol У~100~symbol Р>C (високотемпературні детектори).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Дегода Володимир Якович (фізико-математичні науки)
• Софієнко Андрій Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"