Ткаченко А. В. Вплив впроваджених атомів бору на фізико-хімічні властивості поверхні SiO2/Si(100) / А. В. Ткаченко, О. Ю. Ананьїна // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 2. - С. 419-422. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Представлено результати квантово-хімічного моделювання адсорбції атомів бору на поверхні SiO2/Si(100). Одержано енергетичні характеристики адсорбції. Розраховано геометричні та електронні характеристики поверхні SiO2/Si(100) з впровадженими атомами бору.
Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.23
Шифр НБУВ: Ж26618Пошук видання у каталогах НБУВДодаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"