Досліджено утворення ВТНП сполук складу <$E roman {Bi sub 2 Sr sub 2 Ca} sub 1-x {roman Cd} sub x roman {Cu sub 2 O sub {8+ delta}}>, де <$E 0~symbol Г~x~symbol Г~1>. Встановлено вплив такого заміщення на кристалічну будову та температуру переходу у надпровідний стан. Рентгенографічні дослідження показали, що в системі <$E roman {Bi sub 2 Sr sub 2 Ca} sub 1-x {roman Cd} sub x roman {Cu sub 2 O sub {8+ delta}}>, де <$E 0~symbol Г~x~symbol Г~1>, заміщення відбувається у широких межах. Установлено, що зразки з заміщенням Ca/Cd мають характерну для металів зміну залежності R/T, але за x = 0,6 внаслідок того, що замість фази 2212 утворюється фаза 2201, температура переходу у надпровідний стан різко падає і стає всього лише 11 K.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г523.1 + В368.2

Рубрики:

Хімія напівпровідників

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж69802 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Наумова Діна Дмитрівна (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"