Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія - кисень (VO) у n-Si, вирощеного методом Чохральського (Cz), за різних інтенсивностей імпульсного 1 МеВ електронного опромінення за 360 <$E symbol Р>C. Показано, що під час опромінення, коли одночасно іде утворення та відпал VO, кінетика їх накопичення є нелінійною і має вигляд кривої з насиченням внаслідок наявності саме відпалу. Виявлено, що існує гранична (максимальна) концентрація VO, яка визначається як інтенсивністю опромінення, так і температурою зразків у разі опромінення. Виявлено також, що інтенсивність опромінення кремнію 1 МеВ електронами за високих температур може суттєво стимулювати відпал ними ж створених комплексів VO. При 360 <$E symbol Р>C зміна інтенсивності потоку опромінення в імпульсі від <$E 1,25~cdot~10 sup 15> до <$E 1,25~cdot~10 sup 16> електрон/(<$E roman {см sup 2 с}>) помітно не впливає на ефективність утворення VO в n-Si, але приблизно на два порядки прискорює їх відпал.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Красько Микола Миколайович (фізико-математичні науки)
• Колосюк Андрій Григорович (1982–) (фізико-математичні науки)
• Неймаш Володимир Борисович (фізико-математичні науки)
• Поварчук Василь Юрійович (фізико-математичні науки)
• Войтович Василь Васильович (фізико-математичні науки)
• Войтович Володимир Васильович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"