Вивчено вплив магнетного поля з індукцією до 14 Тл та опромінення <$E gamma>-квантами (випромінювання <$E nothing sup 60 roman Co>) з дозами до <$E 2,63~times~10 sup 17> <$E gamma>-кв/см<^>2 на електропровідність ниткоподібних кристалів <$E {roman Si} sub 1-x {roman Ge} sub x> (x = 0,03) з питомим опором <$E rho~=~0,08~symbol Ш~0,025> Ом <$E times> см в інтервалі температур <$E 4,2~symbol Ш~300> K. Установлено, що опір кристалів слабко змінюється в процесі опромінення, тоді як спостерігаються істотні зміни магнетоопору. Показано, що виявлені зміни магнетоопору пов'язані з виникненням дефектів у процесі опромінення, які зумовлюють делокалізацію носіїв заряду у домішковій зоні кристала.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.275

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Фотомагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Дружинін Анатолій Олександрович (фізико-математичні науки)
• Островський Ігор Петрович (фізико-математичні науки)
• Ховерко Юрій Миколайович (технічні науки)
• Цмоць Володимир Михайлович (фізико-математичні науки)
• Павловський Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Павловська Надія Тарасівна (фізико-математичні науки)
• Поварчук Василь Юрійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"