Павловська Н. Т. Вплив протонного опромінення на фізичні властивості ниткоподібних кристалів Si-Ge / Н. Т. Павловська, П. Г. Литовченко, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, А. Я. Карпенко, В. М. Цмоць, Ю. В. Павловський // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2010. - 1, № 4. - С. 5-8. - Бібліогр.: 4 назв. - укp.Вивчено вплив протонного опромінення та сильних магнітних полів на електропровідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів (НПК) <$E {roman Si} sub 1-x {roman Ge} sub x> (x = 0,03) з питомим опором <$E rho> = 0,008 - 0,025 Ом <$E cdot> см в інтервалі температур 4,2 - 300 K. Виявлено зменшення опору кристалів у температурній області 4,2 - 40 K у процесі опромінення малими дозами протонів та істотне збільшення опору у всій дослідженій температурній області у процесі опромінення дозою <$E 1~cdot~10 sup 17> р<^>+/см<^>2. Запропоновано інтерпретацію виявлених змін фізичних параметрів НПК. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7 + В372.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|