Досліджено вплив рівня легування кремнієвих p - n переходів на їх характеристики як сенсорів парів аміаку. Проведено числові двовимірні розрахунки нерівноважних поверхневих процесів у p - n переходах у разі адсорбції молекул донорного газу. Встановлено, що при зростанні концентрації легуючих домішок змінюється механізм чутливості сенсорів. За низького рівня легування газова чутливість обумовлена утворенням поверхневого каналу з електронною провідністю. У сильно легованих структурах значну роль у формуванні поверхневого зворотного струму відіграє тунелювання електронів у поверхневий канал. Підвищення рівня легування веде до зниження фонового прямого струму сенсорів та до суттєвого зниження чутливості за низьких концентрацій парів аміаку.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г48-3

Рубрики:

Газовий аналіз

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Птащенко Федір Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"