На основі самоузгоджених розрахунків за допомогою методу псевдопотенціалу проведено теоретичне вивчення структурних і електронних властивостей кристалів галогенідів індію і талію у широкому діапазоні зміни зовнішнього тиску. Підтверджено визначальну роль надлишкової <$E ns sup 2>-електронної пари катіона у формуванні структури та стабілізації сполук, що містять катіони зі зниженою валентністю. Визначено значення граничних тисків фазових переходів у високосиметричний структурний тип CsCl і переходів напівпровідник - метал. Встановлено послідовність структурних фазових переходів у кристалах InСl.

• Бовгира Олег Вікторович (фізико-математичні науки)
• Франів Андрій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"