Одержано й досліджено напівпровідникові гетеропереходи GaSe - InSe. Виміряно електричні параметри гетеропереходу залежно від прикладеного одновісного механічного навантаження до торців від 0 до 60 кПа за умов постійної температури 300 K. Виявлено, що під час збільшення тиску густина струму через гетеромежу зростає через збільшення площі оптичного контакту між поверхнями шаруватих кристалів GaSe та InSe.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Воробець Максим Олегович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"