Орлова Д. С. Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром / Д. С. Орлова, Е. И. Рогачева // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2009. - 7, вип. 2. - С. 487-493. - Библиогр.: 11 назв. - рус.Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды, можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута, чем в объемном кристалле. Показано, что подвижность носителей заряда (электронов) в пленках уменьшается по сравнению с объемным кристаллом, что естественно связать как с ростом концентрации электронов, так и с увеличением вклада поверхностного рассеяния в тонкопленочном состоянии. На основании анализа магнитополевых зависимостей коэффициента Холла и магнитосопротивления установлено, что для пленок Bi, легированного Te, и для кристаллов Bi с содержанием 0,5 ат. % Te в интервале значений магнитной индукции 0,1 - 1,0 Тл магнитное поле можно считать слабым. Полученные результаты можно использовать при изготовлении низкоразмерных структур на основе висмута с контролируемой концентрацией электронов. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.902.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|