Горкавенко Т. В. Електронні властивості поверхні (111) в <$E bold roman {A sup 3 B sup 5}> та <$E bold roman {A sup 2 B sup 6}> кристалах / Т. В. Горкавенко, С. М. Зубкова, В. А. Макара, Л. М. Русіна, О. В. Смелянський // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 2. - С. 148-158. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.Для полярної поверхні (111) в кристалах типу A<^>3B<^>5 і A<^>2B<^>6: GaAs, ZnSe досліджено електронну зонну структуру, локальну густину станів (повну та пошарову) та розподіл зарядової густини валентних електронів. Розглянуто властивості поверхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Числовий розрахунок проведено за допомогою самоузгодженого "тривимірного" методу псевдопотенціалу в межах моделі шаруватої надратки. В процесі самоузгодження використано оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, зумовлені наявністю, у випадку поверхні, векторів оберненої гратки, менших за 1 ат. од. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|