Для сферичних наногетероструктур Si/SiO2 та GaAs/AlAs у наближенні ефективної маси варіаційним способом обчислено енергію електронів одно- та двовалентної домішок як функцію радіуса квантової точки у випадку скінченної й нескінченної ям. Одержані результати порівняно з точними й показано, що вибрана варіаційна функція дає незначну похибку в обчисленнях. Показано, що у випадку великих радіусів нанокристалів енергія прямує до значень, які відповідають значенням воднево- й гелієподібної домішки в об'ємному кристалі Si чи GaAs відповідно. За великих радіусів квантової точки основний енергетичний рівень двовалентного донора розташований нижче від одновалентного, а зменшення радіуса квантової точки веде до зростання енергії, яка для двовалентного донора зростає швидше, ніж для одновалентного. Визначено середні та найбільш ймовірні відстані електрона, які показали, що електрон із більшою ймовірністю знаходиться у квантовій точці.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бойчук Василь Іванович (1953–2018) (фізико-математичні науки)
• Білинський Ігор Васильович (1964–) (фізико-математичні науки)
• Лешко Роман Ярославович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"