Зазначено, що сучасні досягнення інформаційних технологій залежать від швидкісних і високоємнісних пристроїв енергонезалежної пам'яті. Нині інтенсивно досліджують різноманітні альтернативи сучасним пристроям пам'яті з метою одержання більш потужних і функціональних пристроїв. Розглянуто сучасний стан теоретичних досліджень ефектів пам'яті гетероструктур на базі полярно-активних наноплівок та їх застосувань: енергонезалежної пам'яті на основі сегнетоелектричних наноплівок, резистивних сегнетоелектричних діодів і польових транзисторів, пам'яті на масивах нанодоменів і провідних доменних стінках, резистивної пам'яті з довільним доступом, що базується на явищі перемикання опору наноплівок оксидів перехідних металів, і мемристорної пам'яті. Значну увагу приділено континуальній теорії зарядових, польових і гістерезисних характеристик гетероструктур на базі наноплівок мемристорів, іоніків і твердих електролітів, впливу розмірних ефектів на перемикання спонтанної поляризації в наногетероструктурах типу сегнетоелектрик - напівпровідник. Розглянуто основні механізми перемикання поляризації й опору в полярно-активних наноплівках: електричний, електроміграційний і деформаційний.

• Морозовська Ганна Миколаївна (1977–) (фізико-математичні науки)
• Свєчніков Георгій Сергійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"