Изучено влияние потерь носителей заряда на ширину фотопиков в спектрах <$E gamma>-излучения, измеряемых CdZnTe детекторами. Исследована группа планарных CdZnTe детекторов, изготовленных из слитков, выращенных методом Бриджмена при высоком давлении инертного газа. Показано, что в области энергий более 60 кэВ вклад захвата заряда в ширину фотопика прямо пропорционален среднему заряду, создаваемому при поглощении <$E gamma>-кванта в веществе детектора. Сделан вывод, что возможной причиной сильного захвата дырок является наличие в материале детектора значительного количества вакансий кадмия и/или комплексов вакансия кадмия - донорная примесь.

• Хажмурадов Манап Ахмадович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"