Гоц Н. Контроль температури в установках реактивного іонно-плазмового напилення з використанням термометра випромінення / Н. Гоц, Ю. Кривенчук // Вимірюв. техніка та метрологія. - 2011. - Вип. 72. - С. 45-49. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.
Процес виготовлення елементів мікроелектроніки на основі процесу іонно-плазмового напилення потребує неперервного контролю температури кремнієвої підкладки. Запропоновано використовувати для цього термометр випромінення. Розглянуто особливості вимірювання температури підкладки термометром випромінення у процесі іонно-плазмового напилення.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"