![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000332556<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Литовченко В. Г. Люмінесцентні властивості приповерхневих напівпровідникових шарів та квантових надграток / В. Г. Литовченко, Д. В. Корбутяк // Укр. фіз. журн. - 2011. - 56, № 10. - С. 1072-1079. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.Наведено нові результати люмінесцентних досліджень квантових надграток (НГ) GaAs/AlAs I-го та II-го роду, а також меж поділу гетероструктур GaAs/AlAs з використанням імпульсних фемтосекундних джерел збудження. Проаналізовано особливості кінетики фотолюмінесценції НГ GaAs/AlAs з різними ширинами квантових ям (GaAs) і бар'єрів (AlAs). За високих рівнів збудження у квазіпрямозонних НГ формується електронно-діркова плазма (ЕДП), концентрація носіїв заряду в якій більш ніж на порядок перевищує відповідне значення для об'ємних кристалів GaAs. Дослідження спектрів спонтанного та вимушеного випромінювання ЕДП у НГ GaAs/AlAs дозволило розрахувати спектри коефіцієнтів оптичного підсилення залежно від густини оптичної накачки в області нелінійних ефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|