Охріменко О. Б. Методи вдосконалення властивостей на межі поділу оксидний шар/карбід кремнію / О. Б. Охріменко // Укр. фіз. журн. (Огляди). - 2010. - 6, № 1. - С. 3-10. - Бібліогр.: 54 назв. - укp.Розглянуто структуру дефектів, що виникають на межі поділу SiO2/SiC. Обговорено наслідки зовнішнього впливу та додаткової обробки на дефектні стани на межі поділу SiO2/SiC. Показано можливість використання як замикаючого діелектричного шару альтернативних оксидів (зокрема, ZrO2, Al2O3, TiO2, Gd2O3, Er2O3). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988/огл. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|