Поруваті шари p-типу GaAs одержано за допомогою електролітичного травлення. При цьому вдалося одержати поруватий шар, який складався з нанокристалітів розміром 0,1 - 1 мкм. Методом рентгенівської фотоелектронної спектроскопії (XPS), енерго-дисперсійної рентгенівської спектроскопії (EDAX) і дифрактометричних досліджень визначено присутність оксидів на поруватій поверхні, для видалення яких використовувалася поруватих шарів в атмосфері водню. За аналогічних умов електролітичного травлення не вдалося одержати поруваті шари на поверхні фосфіду індію. Це свідчить про те, що процес пороутворення на поверхні p-InP є більш складною технологічною задачею в порівнянні з одержанням поруватого InP. Для одержання поруватої поверхні InP використано метод фотоелектричного травлення. Вперше методом фотоелектричного травлення одержано поруваті шари p-типу InP з розміром пор 30 - 40 нм, товщина поруватого шару - 20 мкм. При цьому пори мають рівномірний розподіл на поверхні кристала InP. Показано, що при фотоелектричному травленні InP не утворюються оксиди на поверхні. Запропоновано модель утворення пор при фотоелектричному травленні монокристала InP.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33 + В379.247 + В371.236

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"