Досліджено кінетику накопичення комплексу вакансія - кисень (VO) в n-Si, вирощеному за допомогою методу Чохральського, за різних інтенсивностей імпульсного 1 МеВ електронного опромінення за температур, вищих за температуру початку термічного відпалу VO (<$E T~symbol У~300~symbol Р roman C>). Показано, що опромінення електронами за таких температур призводить до прискореного відпалу VO, створених цим опроміненням. Прискорений відпал VO відбувається у процесі дії імпульсу електронів. Максимальна концентрація VO, яка у цьому разі утворюється, зростає зі збільшенням інтенсивності опромінення та зменшується у разі збільшення температури зразків під час опромінення. Запропоновано модель процесу прискореного відпалу, яка базується на тому, що під час електронного опромінення збуджуються електрони у високоенергетичну долину. При захопленні VO дефектами таких електронів дефектам передається енергія, яка суттєво зменшує енергію активації їх відпалу. Високотемпературна межа ефекту залежить від інтенсивності опромінення та зростає зі збільшенням інтенсивності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Красько Микола Миколайович (фізико-математичні науки)
• Колосюк Андрій Григорович (1982–) (фізико-математичні науки)
• Поварчук Василь Юрійович (фізико-математичні науки)
• Войтович Василь Васильович (фізико-математичні науки)
• Войтович Володимир Васильович (технічні науки)
• Неймаш Володимир Борисович (фізико-математичні науки)
• Руденко Роман Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"