Досліджено кристалічну та електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn, сильнолегованого домішкою Y (<$E N sub roman A sup roman Y~symbol Ы~3,8~cdot~10 sup 20~-~4,8~cdot~10 sup 21> см<^>-3). Показано, що легування n-ZrNiSn супроводжується упорядкуванням кристалічної структури, атоми домішки займають лише позиції атомів Zr, генеруючи дефекти акцепторної природи. Встановлено область існування твердого розчину <$E {roman Zr} sub 1-x {roman Y} sub x roman NiSn>, залежності між концентрацією домішки та напрямом і швидкістю дрейфу рівня Фермі, переходом провідності діелектрик - метал.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ромака Віталій Володимирович (хімічні науки)
• Бовгира Олег Вікторович (фізико-математичні науки)
• Ромака Любов Петрівна (технічні науки)
• Крайовський Роман Володимирович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"