Установлена связь между формой отпечатков, величиной значений микротвердости, ориентировкой испытуемых элементов структуры, а также особенности действующих механизмов релаксации на образцах Mg, Hf и Zr с помощью методов оптической металлографии, сканирующей электронной микроскопии с применением методики регистрации и анализа линий Кикучи, полученных в результате дифракции обратно рассеянных электронов, а также дюрометрических исследований путем пошагового индентирования и царапания. Продемонстрировано, что величина значений микротвердости, а также характер формоизменения отпечатков связаны не только с кристаллографическими и структурными изменениями элементов структуры образцов, а и с условиями испытаний. Установлено, что максимальные значения микротвердости при наиболее симметричном отпечатке наблюдаются в условиях, когда направление индентирования перпендикулярно базисной плоскости. При приближении к их параллельности микротвердость стремится к минимальным показателям при увеличении искажений формы отпечатков. Отмечено, что переход к наноразмерным структурным состояниям должен сопровождаться уменьшением количества действующих механизмов релаксации с постепенным переходом к вакансионному при возрастании долевого участия границ элементов структуры.

• Волосевич Павло Юрійович (фізико-математичні науки)
• Беспалов Сергій Анатолійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"