Исследована минимизация влияния эффекта, вызванного насыщением NPN-транзистора. Достигнуто соответствие результатов, полученными средствами компьютерного моделирования и экспериментальными исследованиями элементной базы и завершенных преобразователей DC/DC на кремниевой пластине. Показано, что для учета эффекта насыщения NPN-транзистора при моделировании преобразователей DC/DC схема электрическая должна быть дополнена моделями паразитного вертикального PNP-транзистора и горизонтального межкарманного NPN-транзистора. Для каждого паразитного компонента созданы транзисторные модели. В случае оценочных расчетов для паразитных PNP-транзисторов достаточно двух моделей со статическими коэффициентами усиления: при отсутствии вертикального коллектора <$E В~=~100>, при введении вертикального коллектора <$E В~=~0,1~-~1>. Для паразитного межкарманного NPN-транзистора необходимо создавать ряд моделей с выбором коэффициента усиления от 0,1 до 0,001 в зависимости от расстояния до тестируемого кармана. Полнота ряда определяется требуемой точностью моделирования. Подчеркнуто, что минимизация влияния паразитных структур достигается не только введением глубокого коллектора, но и топологическими решениями, отдаляющими прецизионные блоки от транзисторов с насыщением и тщательной проработкой заземляющими дорожками областей разделения карманов.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"