Изучены свойства нанокристаллических пленок оксида церия. Установлены основные закономерности их формирования в зависимости от технологических режимов вакуумного нанесения методом взрывного испарения и типа подложки с целью создания высокочувствительных фотоприемников. Морфология поверхности пленок CeOx исследована методом атомно-силовой микроскопии, а электронная структура пленок - рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. На фотоэлектронном спектре наблюдаются максимумы трех- и четырехвалентного Ce. Показано, что наибольшей фоточувствительностью в спектральном диапазоне 380 - 450 нм обладают нанокристаллические пленки со структурой Si/SiO2/CeOx, осажденные при температуре 200 <$E symbol Р>C, и пленки со структурой Si/Si3N4/CeOx с температурами осаждения 200 и 300 <$E symbol Р>C. Минимальным температурным коэффициентом сопротивления в области рабочих температур обладают пленки, нанесенные на подложку из SiOx при температуре 200 <$E symbol Р>C, - 0,36 %/град.

• Борисов Артем Вадимович (історичні науки)
• Борисов Андрій Вікторович (державне управління)
• Максимчук Наталія Володимирівна (технічні науки)
• Максимчук Наталія Василівна (сільськогосподарські науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"