Запропоновано модель квазіхімічних реакцій утворення власних точкових дефектів у плівках станум телуриду у процесі їх вирощуванні з парової фази за допомогою методу гарячої стінки за припущення утворення двократно іонізованих дефектів за Шотткі (<$E roman {V sub Sn sup 2-~-~V sub Te sup 2+}>) і чотиризарядних вакансій стануму <$E roman V sub Sn sup 4->. Одержано аналітичні вирази для визначення концентрації дірок, вакансій стануму <$E [ roman V sub Sn sup 2- ]>, <$E [ roman V sub Sn sup 4- ]> і телуру <$E [ roman V sub Te sup 2+ ]> через константи квазіхімічних реакцій їх утворення K і парціальний тиск пари телуру <$E P sub roman Te sub 2>. Встановлено залежності концентрацій вільних носіїв заряду та переважаючих точкових дефектів від технологічних факторів: температури підкладки, температури випаровування, парціального тиску пари телуру. Знайдено співвідношення між вакансіями стануму <$E [ roman V sub Sn sup 2- ]> і <$E [ roman V sub Sn sup 4- ]> у плівках станум телуриду, одержаних за різних технологічних факторів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.251.4

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"