Федосов А. В. Особливості п'єзоопору <$E bold gamma>-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів / А. В. Федосов, С. В. Луньов, С. А. Федосов // Укр. фіз. журн. - 2010. - 55, № 3. - С. 323-326. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.Досліджено п'єзоопір <$E gamma>-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X||J||[111]. Визначено величину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC - 0,17 еВ і долинами зони провідності n-Si за одновісної деформації вздовж кристалографічного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографічного напрямку баричний коефіцієнт зміни енергетичної щілини є незначним, оскільки зміщення самого глибокого рівня EC - 0,17 еВ і долин зони провідності n-Si у процесі деформації є практично однаковими за величиною. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271.7
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|