Досліджено п'єзоопір <$E gamma>-опромінених кристалів n-Si за умови, коли X||J||[111]. Визначено величину зміни енергетичної щілини між глибоким енергетичним рівнем EC - 0,17 еВ і долинами зони провідності n-Si за одновісної деформації вздовж кристалографічного напрямку [111]. Показано, що для даного кристалографічного напрямку баричний коефіцієнт зміни енергетичної щілини є незначним, оскільки зміщення самого глибокого рівня EC - 0,17 еВ і долин зони провідності n-Si у процесі деформації є практично однаковими за величиною.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.271.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Діелектричні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Федосов Андрій Васильович (технічні науки)
• Луньов Сергій Валентинович (фізико-математичні науки)
• Федосов Сергій Анатолійович (1971–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"