Изучено изменение проводимости дырочной гетероструктуры с квантовой ямой из сплава Si0,05Ge0,95 в температурном интервале 0,352 - 7,1 К в магнитных полях до 11 Тл. Особенностью данного образца было асимметричное допирование: с разных сторон от квантового канала располагались слои Si0,4Ge0,6 с концентрацией примесных атомов бора <$E 2~cdot~10 sup 18> и <$E 8~cdot~10 sup 18 ~roman см sup -3>. На фоне большого квазиклассического положительного магнитосопротивления наблюдались ярко выраженные осцилляции Шубникова - де Гааза. Изменение с полем монотонного хода магнитосопротивления хорошо описывается функцией вида <$E rho sub xx (B) "/" rho sub xx (0) ~symbol Х~В sup {12 "/" 7}>, предсказанной в теории, рассматривающей совместное влияние двух типов беспорядка - близко- и дальнодействующего. В температурном и магнитополевом изменении сопротивления определен вклад квантовых поправок, связанных с эффектами слабой локализации и взаимодействия носителей заряда. Их анализ выявил сильное спин-орбитальное рассеяние дырок в квантовой яме. Изучение изменения амплитуды осцилляций Шубникова - де Гааза с температурой и магнитным полем (с учетом монотонного хода сопротивления при изменении магнитного поля) дало возможность определить эффективную массу носителей заряда <$E m sup *~=~0,17 m sub 0>. Исследование эффекта перегрева носителей заряда электрическим полем позволило найти температурную зависимость времени дырочно-фононной релаксации.

• Комник Юрій Федорович (1931–2018) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"