Проведено дослідження радіаційної стійкості омічних контактів польових транзисторів із бар'єром Шотткі на GaAs, виготовлених за двома типами технології. Визначено величину межі максимально допустимої дози опромінення, яка не призводить до деградації морфології омічних контактів і їх параметрів. Вона становить <$E 2,58~cdot~10 sup 4> Кл/кг, що на порядок вище радіаційної стійкості транзисторів. У той час як у разі великих доз опромінення відбувається значна радіаційно-стимульована дифузія між шарами металізації омічного контакту, співвимірна із дифузією за температур 470 - 500 <$E symbol Р>С, що призводить до його незворотної деградації. Показано, що омічні контакти до n-GaAs, виготовлені за технологією, в якій в якості металізації використано композицію |Ge| - AuGe - Mo - Au, внаслідок чого морфологія контакту має досконалішу структуру, більш стійкі до радіаційного впливу. Визначено, що термообробка структур за <$E Т~=~310~symbol Р>С протягом 8 год після їх опромінення невеликими дозами (<$E 2,58~cdot~10 sup 2~-~2,58~cdot~10 sup 4>) Кл/кг відновлює параметри зразків, що можна використати для відновлення функціональних властивостей польових транзисторів із бар'єром Шотткі на GaAs.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іващук Анатолій Васильович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"