Приведены результаты анализа вольтамперных характеристик биполярных транзисторов и получены выражения для параметров нелинейности. Показана возможность расчета режима транзистора, при котором получаются определенные значения параметров нелинейности. Рассмотрены перспективы использования полученных результатов в системах технической защиты информации. Проведенный анализ позволяет оценить амплитудные зависимости параметров нелинейности биполярных транзисторов и рассчитать как режимы транзисторов, так и амплитуду входного гармонического сигнала, при которой наблюдаются максимальные значения амплитуд высших гармоник. Проведенные расчеты выполнены без учета влияния собственных шумов транзисторов и внешних флуктуационных воздействий. Широкие перспективы для анализа реакций полупроводниковых приборов с учетом шумов открывают исследования эффекта стохастического резонанса и методы нелинейного анализа на основе разложения в ряд Вольтерра.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"