Теоретично змодельовано утворення протяжних структур із окремих треків залежно від характеристик пучка налітаючих швидких важких іонів і параметрів утворених ними треків. Розглянуто треки у вигляді послідовності певної кількості сферичних областей; вважається, що кожний налітаючий іон створює одну таку послідовність. Знайдено залежність площі поверхні зразка після опромінення та видалення модифікованої речовини від повної дози опромінення, кута падіння пучка важких швидких іонів та середньої відстані між сферичними частинами одного треку. Для розрахунків використано метод Монте-Карло. Із збільшенням кута опромінення сильніше всього змінюється опуклість кривої дозової залежності. Встановлено, що кутова залежність площі поверхні розгалуженої структури, утвореної перекриттям трекових областей, має максимальне значення за певного "критичного" кута падіння іонів (за фіксованої дози), який залежить від відстані між сферичними областями у треці.

• Демчишин Андрій Богданович (фізико-математичні науки)
• Селищев Павло Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"