![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000358685<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Находкін М. Г. Формування інтерфейсу Sb/Ge(100) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко, Б. С. Лепявко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2009. - № 3. - С. 264-268. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.За допомогою методів електронної спектроскопії досліджено зміну електронних властивостей (робота виходу, загин зон поблизу поверхні, густина електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні Ge(100)-(2x1) при адсорбції на ній атомів Sb. Показано, що на початкових стадіях адсорбції атомів Sb на поверхні Ge(100)-(2x1) та при відпалі поверхні Ge(100) з кількома моношарами Sb зміна загину зон та синхронне збільшення роботи виходу може бути пояснене проявом ефекту поверхневого змішування між атомами Sb та Ge (вбудовуванням атомів Sb в матрицю атомів Ge). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + К235.23
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|