Находкін М. Г. Формування інтерфейсу Sb/Ge(113) / М. Г. Находкін, М. І. Федорченко // Вісн. Київ. нац. ун-ту. Сер. Фіз.-мат. науки. - 2010. - Вип. 4. - С. 232-235. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.За допомогою методів дифракції повільних електронів, фото- та оже-електронної спектроскопій досліджено зміну електронних властивостей (роботу виходу, загину зон поблизу поверхні, густину електронних станів поблизу рівня Фермі) поверхні <$E roman Ge (113)-(3~times~1)> за адсорбції на ній атомів Sb. Показано, що на початкових стадіях адсорбції атомів Sb на поверхні <$E roman Ge (113)-(3~times~1)> за кімнатної температури (<$E THETA sub roman Sb~symbol Г~0,8> МШ) і відпалу поверхні Ge(113) з <$E THETA sub roman Sb~symbol У~1> 1МШ (<$E 450~symbol Р>С) поведінку роботи виходу можна пояснити зміною загину зон поблизу поверхні, що обумовлено ефектами, пов'язаними з вбудовуванням атомів Sb у гратку атомів Ge. Індекс рубрикатора НБУВ: К235.230.25
Шифр НБУВ: Ж28079/фіз.-мат. Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|